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型号 IPD50R950CE
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSF 500V 4.3A PG-TO252
IPD50R950CE PDF
代理商 IPD50R950CE
应用说明 500V CoolMOS CE Application Note
标准包装 2,500
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 950 毫欧 @ 1.2A，13V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 231pF @ 100V
功率 - 最大 34W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPD50R950CEBTMA1
IPD50R950CEIN
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